| 型号：FQA6N90 | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-3P-3，SC-65-3 | 描述：MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P |
| 系列 | QFET™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 6.4A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.9 欧姆 @ 3.2A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 52nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1880pF @ 25V |
| 功率_最大 | 198W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 包装 | 管件 |
供应商
| HECC GROUP CO，LIMITED | 蔡小姐/钱先生/吴小姐/朱先生（电子元器件优质供应商）086-755-88608527/83950895/83950890 |
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